Transistor BU508AF

Transistor BU508AF

Saida horizontal 1500/700v 8A 30w

Alta tensão transistor NPN de potência para definição padrão de exibição CRT
Características
Tecnologia de última geração: Coletor difuso "Geração aprimorada" Desempenho estável versus variação da temperatura de operação Baixo requisito de base para base Faixa de hFE na corrente de coletor operacional Alta robustez Compartimento de potência totalmente isolado Conformidade UL Em conformidade com a norma 2002/93 / EC Diretiva européia

Aplicações
Saída de deflexão horizontal para fontes de alimentação CRT TV Switch para TV CRT
Descrição
O BU508AF é fabricado usando Coletor Difuso na Planar Technology, adotando uma estrutura de alta tensão nova e aprimorada para desempenho atualizado no estágio de Deflexão Horizontal.

Número da peça BU508AF Pacote de embalagem BU508AF Tubo de embalagem sot199
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Símbolo VCES VCEO VEBO IC ICM IB PTOT Vinhos Tstg TJ
Parâmetro Tensão de coletor-emissor (VBE = 0) Tensão de coletor-emissor (IB = 0) Tensão de coletor-base (IC = 0) Corrente de coletor Corrente de pico de coletor (tP <5ms) Corrente de base Dissipação total = 25 ° C Tensão suportável de isolamento RMS) de todas as três derivações para o dissipador de calor externo Temperatura de armazenamento máx. temperatura operacional da junção Valor ° C 150 Unidade

Parâmetro Corrente de corte do colector (VBE = 0) Corrente de corte do emissor (IC = 0) Condições de ensaio VCE = 1500 V VCE = 1500V; VEB = 9V TC = 125 ° C min. Typ. Max. 2 1 Unidade mA

Coletor-emissor VCEO (sus) (1) tensão de sustentação (IC = 0) VCE (sat) (1) VBE (sat) (1) hFE (1) Tensão de saturação de emissor-coletor Tensão de saturação de emissor-base Ganho de corrente contínua Carga indutiva Tempo de armazenamento tempo de queda