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Transistor IRF3205

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
Mosfet 55v 110Amp 200w
Tecnologia avançada de processos
  Resistência Ultra Baixa
  Classificação dinâmica dv / dt
  Temperatura de funcionamento de 175 ° C
  Comutação Rápida
  Totalmente avalanche avaliado
Descrição
MOSFETs avançados de potência HEXFET® da International
O retificador utiliza técnicas avançadas de processamento para alcançar
extremamente baixa na resistência por área de silício. este
benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e
projeto de dispositivo robusto que MOSFETs de potência HEXFET
são bem conhecidos por, fornece ao designer um extremamente
dispositivo eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de
aplicações.
O pacote TO-220 é universalmente preferido para todos
aplicações comerciais-industriais na dissipação de energia
níveis para aproximadamente 50 watts. A baixa térmica
resistência e baixo custo do pacote do TO-220 contribuem
a sua ampla aceitação em todo o setor.

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