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Transistor IRFP250N
Fet Canal N 200v 30A 214w 0.075R

l Tecnologia avançada de processos
l Classificação dinâmica dv / dt
l 175 ° C Temperatura de operação
l comutação rápida
l avaliado inteiramente da avalancha
l Facilidade de paralelismo
l Requisitos simples de acionamento
Os HEXFETs de quinta geração da International Rectifier utilizam processamento avançado
técnicas para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício. Esse benefício,
combinado com a velocidade de comutação rápida e o design robusto do dispositivo que
Os MOSFETs HEXFET Power são bem conhecidos, fornecem ao projetista uma
dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
O pacote TO-247 é preferido para aplicações industriais comerciais onde
níveis mais altos de energia impedem o uso de dispositivos TO-220. O TO-247 é semelhante
mas superior ao pacote TO-218 anterior por causa de seu orifício de montagem isolado.

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