Circuito integrado TD350E SMD

Circuito integrado TD350E SMD

Advanced IGBT/MOSFET Driver
0.75A source / 1.2A dissipador min gate drive
¦ Recurso de grampo ativo Miller
¦ Dois degraus de desligamento com nível ajustável
e demora
¦ Detecção de dessaturação
¦ Saída de status de falha
¦ Capacidade de acionamento de portão negativo
¦ Entrada compatível com transformador de pulso ou
acoplador ótico
¦ Saídas separadas de coletor e fonte para facilitar
movimentação do portão
¦ proteção UVLO
¦ proteção 2kV ESD
Descrição
O TD350 é um driver de porta avançado para IGBT e
MOSFET de potência. Funções de controle e proteção
estão incluídos e permitem o design de alta confiabilidade
sistemas.
A função de fixação ativa inovadora da Miller evita
necessidade de drive de porta negativa na maioria das aplicações
e permite o uso de um simples fornecimento de bootstrap
para o motorista do lado alto
O TD350 inclui um recurso de desligamento de dois níveis
nível e atraso ajustáveis. Esta função protege
contra sobretensão excessiva ao desligar no caso de
de sobrecorrente ou curto-circuito. Mesmo
o atraso é aplicado ao ligar para evitar a largura de pulso
distorção.
O TD350 também inclui uma dessaturação de IGBT
proteção e uma saída de status FAULT.
TD350 é compatível com ambos transformador de pulso
e sinais de optoacoplador.
Aplicações
¦ Inversor trifásico de 1200V
¦ Controle de Motor
¦ Sistemas UPS
4 descrição funcional
4.1 Entrada
A entrada é compatível com optoacopladores ou pulso
transformadores. A entrada é acionada pelo sinal
vantagem e permite o uso de baixo custo e baixo custo
transformador de pulso. A entrada está ativa baixa (a saída é
alta quando a entrada é baixa) para facilitar o uso de
optoacoplador. Quando acionado por um transformador de pulso,
o pulso de entrada (positivo e negativo) deve
ser maior que a largura mínima da pula.
4.2 referência de tensão
Uma referência de tensão é usada para criar
tempo para o turn-off de dois níveis com externo
resistor e capacitor.
4.3 Proteção de dessaturação
A proteção de dessaturação assegura a proteção de
o IGBT em caso de sobrecorrente. Quando o
A tensão DESAT é maior que 7V, a saída é
dirigido baixo (com 2-nível turn-off, se aplicável). o
A saída de FALHA é ativada. O estado de FALHA é
saiu na próxima borda descendente da entrada IN.
Um tempo de supressão programável é usado para permitir
tempo suficiente para a saturação do IGBT. O tempo de supressão é
fornecida por uma fonte de corrente interna e
capacitor externo.
A entrada DESAT também pode ser usada com um
comparador para sobrecorrente ou sobreaquecimento
detecção.
4.4 Grampo Ativo Miller
Um grampo Miller permite o controle do Miller
corrente durante uma alta situação dV / dt e pode evitar
o uso de uma tensão de alimentação negativa.
Durante o desligamento, a tensão da porta é monitorada e
a saída da braçadeira é ativada quando a tensão da porta
vai abaixo de 2V (em relação ao GND). O grampo
tensão é VL + 3V max para uma corrente Miller até
500mA. O grampo é desativado quando a entrada IN
é acionado novamente.
4.5 Turn-off de dois níveis
O turn-off de dois níveis é usado para aumentar o
confiabilidade da aplicação.
Durante o desligamento, a tensão da porta pode ser reduzida
nível programável para reduzir o IGBT
corrente (em caso de sobrecorrente). Esta acção
evita ambas as sobretensões perigosas em todo o
Problemas de IGBT e RBSOA, especialmente com
desligamento do circuito.
O atraso de desligamento (Ta) é programável através de um
resistor externo e capacitor para o sincronismo exato.
O atraso de desligamento (Ta) também é usado para atrasar a entrada
sinal para evitar a distorção da largura do pulso de entrada.
4.6 tempo mínimo de ON
A fim de garantir o bom funcionamento do 2-
função de desligamento de nível, o tempo ON de entrada (Twin)
deve ser maior que o valor de Twinmin:
Twinmin = Ta + 2 * Rdel * Coff
Rdel é o resistor de descarga interno e Coff é
o capacitor de temporização externo.
Sinais de entrada menores que Ta são ignorados. Entrada
sinais maiores que Twinmin são transmitidos para o
estágio de saída após o atraso Ta com mínimo
distorção de largura (?Tw = Twout-Twin).
Para uma largura do sinal de entrada Twin entre Ta e
Twinmin, a largura de saída Twout é reduzida abaixo
Twin (distorção do pulso) e o IGBT podem ser
parcialmente ligado. Estes sinais de entrada devem ser
evitado durante a operação normal.
4.7 Saída
O estágio de saída é capaz de afundar 2.3A e fonte
1.5A típico a 25 ° C (1.2A / 0.75A no mínimo
o intervalo de temperatura total). Pia separada e
saídas de fonte permitem carga de gate independente
e controle de descarga sem um extra externo
diodo